Bâti de croissance de couches ultra-minces sous ultra-vide
Description
Bâti de croissance de couches ultra-minces sous ultra-vide. Permet la croissance de couches et de multicouches sur des substrats cristallins (typiquement silicium, MgO, saphir) avec un contrôle des épaisseurs de l’ordre de 0.1 nm.
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Tags
couche mince
cristal
cristallisation
cristallographie
saphir
silicium
substrat
vide
Université Paris Sud - Sciences (Université Paris Sud - Sciences)
Portail réalisé en 2013 par des
apprentis
en informatique de Polytech Paris-Sud
Refonte agile du portail en 2014, puis 2015 par Samy GHRIBI, étudiant à Centrale Paris.
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